Институты АН "И...Р"

Институт радиационной и физико-химической биологии АН СССР, Институт молекулярной биологии (ИМБ) им. В.А. Энгельгарта АН СССР, ФГБУН «ИМБ» РАН

      /г. Москва ул. Вавилова, 32 тел. 135-23-11 www.eimb.relarn.ru/

      Решение Президиума АН СССР об организации института было принято 26.04.1957г. Практически Институт радиационной и физико-химической биологии создан в 1959г. В.А. Энгельгардтом. Пост. Президиума АН № 328 от 18.06.1965г. переименован в ИМБ. Действовал в ведении Отделения биохимии, биофизики и химии физиологически активных соединений (ОББХФАС) (1965г.-). 12.05.1988г. институту присвоено имя Энгельгардта.

      С 1961г. начаты работы по биохимии нуклеиновых кислот в интересах МО. В 1970-е-80-е г. институт принимал участие в работах НПО «Биопрепарат» по разработке биологического оружия (программа «Костёр»).

      Направления работ (1970-е): генетический аппарат высших организмов, структура хромосом и хроматина; генная инженерия, структура и физико-химические свойства нуклеиновых кислот и белков в связи с их функциями, принцип специфического взаимодействия белков и нуклеиновых кислот (проблема узнавания); структура и механизм действия важнейших ферментов белкового и нуклеинового обмена; механизмы основных этаповбиосинтеза нуклеиновых кислот и белков, онковирусология, иммунохимия.

      В составе института (1977г.): Отдел инструментальных методов анализа (и на 1986г.); Лаборатории: химических основ биокатализа (и на 1986г.); биосинтеза нуклеиновых кислот (и на 1986г.); функциональной энзимологии; функциональной морфологии хромосом (и на 1986г.); изотопных методов (и на 1986г.); энзимологии белков синтеза; химии белкового синтеза (и на 1986г.); химии регуляторной ферментной активности; стереохимических ферментных реакций (и на 1986г.); молекулярной организации хромосом (и на 1986г.); физики биополимеров (и на 1986г.); рентгено-структурного анализа (и на 1986г.); электронно-микроскопических исследований (и на 1986г.); группы: химического анализа структуры белков и пептидов; методов спектрального микроанализа; молекулярной спектроскопии (и на 1986г.). При институте также действовали: Научный совет по проблемам молекулярной биологии; Научный совет по биохимии животных и человека. На 09.1986г., кроме вышеперечисленных: Отделы: генетической инженерии; химического и биологического анализа биополимеров и клеток; Лаборатории: подвижности генома; молекулярных основ онкогенеза; молекулярно-генетической иммунологии; химии регуляторов ферментативной активности; энзиматической регуляции клеточной активности; группы: автоматизации научных исследований и вычислительных методов; молекулярных основ эмбриогенеза.

      Пост. Президиума АН № 781 от 10.10.1989г. часть Лаборатории биосинтеза нуклеиновых кислот передана в состав организованного Института биологии гена.

      С 1991г. – ИМБ им. Энгельгардта РАН.

      Подразделения института (2015г.): Молекулярная биология клетки: лаборатории: молекулярной биологии развития, структуры и функций хроматина, структурно-функциональной геномики, белковых ингибиторов клеточных процессов, молекулярной иммунологии, биологии клетки, молекулярной эндокринологии, пролиферации клеток, факторов транскрипции, молекулярной кариологии и основ клеточной терапии, иммунорегуляции; Структурная, функциональная и эволюционная геномика: лаборатории: подвижности генома, молекулярных механизмов биологической адаптации, эволюции геномов эукариот, организации генома; группа регуляции транскрипции генома; Структурно-функциональный анализ биополимеров: лаборатории: ДНК-белковых взаимодействий, химических основ биокатализа, молекулярных основ действия физически активных соединений, конденсированного состояния нуклеиновых кислот, биологических микрочипов, физики биополимеров, конформационной стабильности белков и физических методов анализа, стереохимии ферментативных реакций, биоинформатики и системной биологии; группы: энзимологии биологически активных соединений, компьютерного анализа генетической информации, изотопных методов анализа; Центры коллективного пользования: «Геном», технологией биологических микрочипов, «Фосфор»; научно-вспомогательные подразделения: Служба радиационной безопасности, ОНТИ, виварий.

      Директор (1957-84г.)- академик В.А. Энгельгардт, (1984-2003г.)- академик А.Д. Мирзабеков, (2003-15г.-)- академик А.А. Макаров.

      Заведующие лабораториями: структурно-функциональной геномики (2015г.)- Л.Ю. Фролова.

      Работали: (2015г.)- В.Е. Барский, (2015г.)- А.В. Белявский, (2015г.)- Ж.А. Бессчетникова, (1966г.)- Я.М. Варшавский, (2015г.)- С.Г. Георгиева, (2015г.)- Г.В. Гурский, (2015г.)- Т.В. Демидкина, (2015г.)- М.Б. Евгеньев, (2015г.)- Ю.М. Евдокимов, (2009г.)- Е. Егоров, (2015г.)- А.С. Заседателев, (2015г.)- академик Ю.В. Ильин, (2015г.)- В.Л. Карпов, (2015г.)- Ю.В. Козлов, (2015г.)- Л.А. Корнеева, (2015г.)- С.Н. Кочетков, (2015г.)- Ю.Е. Кравченко, (2015г.)- Д.А. Крамеров, (2015г.)- Д.В. Купраш, (2009г.)- М. Куханова (внс), (2015г.)- М.А. Лившиц, (2015г.)- Ю.П. Лысов, (1966г.)- Р.А. Маслова, (2015г.)- С.Н. Михайлов, (2015г.)- О.В. Муравенко, (2015г.)- С.А. Недоспасов, (2015г.)- А.Б. Полтараус, (2015г.)- В.С. Прасолов, (2015г.)- П.М. Рубцов, (2015г.)- Ю.С. Скоблов, (2015г.)- И.И. Томина, (2015г.)- В.Г. Туманян, (2015г.)- Л.Ю. Фролова, (2015г.)- Р.М. Хомутов, (2015г.)- П.М. Чумаков, (2015г.)- Н.А. Чуриков.

      

Институт радиофизики и электроники СО АН СССР, Институт физики полупроводников (ИФП) СО АН СССР, Объединённый институт физики полупроводников (ОИФП) АН СССР, РАН, ФГБУН «ИФП им. А.В. Ржанова» СОРАН

      /630090 г. Новосибирск пр. Академика Лаврентьева, 13 isp.nsc.ru/

      Институт радиофизики и электроники был в 1956г. ИФП создан пост. Президиума АН № 49 от 24.04.1964г. в результате объединения Института радиофизики и электроники и Института физики твердого тела и полупроводниковой электроники СО АН СССР создан ИФП. В 1990г. ИФП в качестве головного вошёл в состав созданного ОИФП. В ОИФП включён также КТИПМ.

      С 1964г. основным направлением деятельности института стала физика поверхности полупроводников.

      Во второй половине 1960-х г. создан Отдел лазерной физики,в 1978г. он переведён в Институт теплофизики СО АН.

      Пост. Президиума РАН № 400 от 26.12.2006г. ИФП присвоено имя А.В. Ржанова. Пост. Президиума РАН № 262 от 13.12.2011г. переименован в ФГБУН «ИФП им. А.В. Ржанова» СО РАН. В соответствии с расп. правительства № 2591-р от 30.12.2013г. институт передан в ведение ФАНО.

      Совместно с ФИ РАН созданы радиационно-стойкие СВЧ транзисторы на GaAs.

      В 2000-е г. в институте установлена система электронной нанолитографии немецкой фирмы Raith, установка МЛЭ фирмы Riber.

      Направления работ (2006г.): технология молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ); структуры: кадмий-ртуть-теллур (КРТ), кремний-германий (SiGe), арсенид галлия (GaAs), нитрид галлия (GaN), для твердотельной СВЧ-электроники; тепловидение среднего ИК-диапазона (3-5 мкм); выращивание монокристаллов кремния методом зонной плавки; технология получения моноизотопного свинца (без радиоактивного Pb210); электронная микроскопия; методы контроля поверхности полупроводников (на основе дифракции быстрых электронов, лазерная эллипсометрия); производство эпитаксиальных структур: КРТ (1000 см2 в год), гетероструктуры для рНЕМТ-транзисторов; разработка и производство фотоприемных устройств; изготовление дифрактометров.

      В 1996г. в состав ОИФП включён ИСМЭ СО РАН. Пост. Президиума РАН № 224 от 1.07.2003г. к ИФП вновь присоединён ИСМЭ СО РАН в качестве Омского филиала, пост. Президиума РАН № 440 от 2012г. он исключён из состава института. Пост. Президиума РАН № 274 от 29.11.2005г. в состав объединенного ИФП был включен КТИПМ СО РАН в качестве Новосибирского филиала (и на 2018г.).

      В составе института (2006г.): отдел лазерной физики; (2018г.): 23 научных лаборатории.

      Структура института (2019г.): директор – зам. директора, Учёный совет, Учёный секретарь (ОНТИ, библиотека, канцелярия, участок малой полиграфии), филиал «КТИПМ» – научные подразделения, вспомогательные и обслуживающие подразделения. Научные подразделения: Отделы: роста и структуры полупроводниковых материалов № 001 (лаборатории: эллипсометрии полупроводниковых материалов и структур № 2; молекулярно-лучевой эпитаксии элементарных полупроводников и соединений А3В5 № 16; физических основ эпитаксии полупроводниковых гетероструктур № 17); физики и технологии полупроводников пониженной размерности, микро- и наноструктур № 004 (лаборатории: нанодиагностики и нанолитографии № 20; физики низкоразмерных электронных систем № 26 (в 2018г. – физики и технологии структур на основе полупроводников А3В5)); инфракрасных оптоэлектронных устройств на основе КРТ № 006 (лаборатории: технологии эпитаксии из молекулярных пучков соединений А2В6 № 15; физико-технологических основ создания приборов на основе полупроводников А2В6 № 28; группа физики полупроводниковых приборов на основе соединений А2В6 № 4); тонкоплёночных структур для микро- и фотоэлектроники № 009 (лаборатория физики и технологии гетероструктур № 3; группа моделирования электронных и технологических процессов микроэлектроники № 2); физики и техники полупроводниковых структур № 010 (лаборатории: кинетических явлений в полупроводниках № 13; молекулярно-лучевой эпитаксии полупроводниковых соединений А3В5№ 37); аспирантуры; Лаборатории: теоретической физики № 1; вычислительных систем № 4; физической химии поверхности полупроводников и систем полупроводник-диэлектрик № 5; оптических материалов и структур № 6; физики и технологии трёхмерных наноструктур № 7; неравновесных процессов в полупроводниках № 8; физических основ материаловедения кремния № 10; физических основ интегральной микрофотоэлектроники № 14; технологии кремниевой микроэлектроники № 19; неравновесных полупроводниковых систем № 24; лазерной спектроскопии и лазерных технологий № 31; нелинейных резонансных процессов и лазерной диагностики № 32; мощных газовых лазеров № 36; ЦКП «Наноструктуры». Вспомогательные и обслуживающие подразделения: Гл. специалисты; отделы: планово-производственный (ППО), технический, гл. энергетика, патентный, капстроительства (ОКС), метрологической службы, кадров, бухгалтерия, вычислительных сетей, организации госзакупок (ООГЗ), ОМТС, охраны, ИТО электронной системотехники; служба охраны труда; экспериментальный цех; участки: ремонтный, автотранспортный; административно-хозяйственный персонал.

      Имел 3 корпуса, один из них – уникальный термостатированный. В составе оборудования действовали уникальные научные установки: автоматизированная многомодульная сверхвысоковакуумная установка молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ КРТ) «Обь-М»; многофункциональный аналитический субангстремный сверхвысоковакуумный комплекс «МАССК-ИФП».

      Площадь: производственная (2019г.)- 35735 м2.

      Численность персонала (2006г.)- около 1000 чел., (2019г.)- около 800 чел.

      Директор (1.01.1957-1.06.1964г.)- Ю.Б. Румер {28.04.1901-1.02.1985}, (1964-90г.)- академик (1984г.) А.В. Ржанов{9.04.1920-25.07.2000}, (1990-98г.)- К.К. Свиташев {3.08.1936-11.02.1999}, (1998-25.04.2013г.)- академик (2006г.) А.Л. Асеев {24.09.1946-}, (2013-18г.-)- академик (2016г.) А.В. Латышев {4.01.1959-}.

      Зам. директора: по научной работе (-1961г.)- П.А. Бородовский, (2007-13г.)- А.В. Латышев, (2018г.)- проф. А.В. Двуреченский, (2018г.)- проф. О.П. Пчеляков, (2019г.)- А.Г. Милёхин, (2019г.)- М.В. Якушев; по научно-организационной работе (2019г.)- А.В. Каламейцев; по прикладной тематике и общим вопросам (2019г.)- В.П. Грибков; по АХЧ- Г.Ф. Олоничев, (2019г.)- Д.А. Мясников; (1976-80г.)- К.К. Свиташев.

      Гл. бухгалтер (2019г.)- А.А. Перов.

      Заведующие отделами: № 001 (2018г.)- проф. О.П. Пчеляков; № 004 (2018г.)- академик А.Л. Асеев; № 006 (2018г.)- Ю.Г. Сидоров, (2019г.)- С.А. Дворецкий; № 009 (2018г.)- проф. И.Г. Неизвестный; № 010 (2018г.)- проф. В.Н. Овсюк. Руководитель ЦКП «Наноструктуры» (2018г.)- А.В. Латышев. Начальники отделов: ППО (2019г.)- Г.Р. Кунакбаева; кадров (2019г.)- М.А. Золотарская; метрологической службы (2019г.)- А.В. Казак; ОМТС (2019г.)- Е.И. Кузьменко; ООГЗ (2019г.)- Ж.А. Шитик; вычислительных сетей (2019г.)- В.И. Шубин.

      Учёный секретарь (1957-64г.)- Ю.А. Старикин, (2019г.)- С.А. Аржанникова.

      Заведующие лабораториями: № 1 (2018г.)- академик А.В. Чаплик, (2019г.)- В.М. Ковалев; № 2 (2018г.)- С.В. Рыхлицкий; № 3 (2018г.)- А.Э. Климов; и.о. (2019г.)- О.Е. Терещенко; № 4 (2018г.)- К.В. Павский; № 5 (2018г.)- О.И. Семенова; № 6 (2018г.)- В.В. Атучин; № 7 (2018г.)- проф. В.Я. Принц; № 8 (2018г.)- проф. А.С. Терехов; № 10 (2018г.)- В.П. Попов; № 13 и.о. (2018г.)- Д.Г. Есаев; № 14 и.о. (2018г.)- А.П. Ковчавцев; № 15 (2018г.)- С.А. Дворецкий, (2019г.)- М.В. Якушев; № 16(2018г.)- А.И. Никифоров; № 17 (2018г.)- В.В. Преображенский; № 19 (2018г.)- О.В. Наумова; № 20 (1998-2018г.-)- А.В. Латышев; № 24 (2018г.)- проф. А.В. Двуреченский; № 26 (2018г.)- проф. З.Д. Квон; № 28 (2018г.)- В.В. Васильев, (2019г.)- Г.Ю. Сидоров; № 31 (2018г.)- Н.Н. Рубцова; № 32 (2018г.)- И.И. Рябцев; № 36 (2018г.)- Д.Э. Закревский; № 37 (2018г.)- А.И. Торопов; и.о. (2019г.)- К.С. Журавлев; (1961-65г.)- Г.Н. Генин,130 (1961-65г.)- Р.В. Гострем, Г.В. Кривощеков, (1957-64г.)- Ю.А. Старикин.

      Руководители групп: № 2 (2018г.)- И.Г. Неизвестный; № 4 (2019г.)- В.В. Васильев; патентной (2019г.)- Н.А. Рыболовлева. Руководитель службы охраны труда (2019г.)- И.Н. Карабина.

      Заведующие: канцелярией (2019г.)- И.А. Иванищева; библиотекой (2019г.)- Н.Н. Шабурова. Начальник штаба ГО и ЧС (2019г.)- Е.В. Неведомский.

      Работали: (2005г.)- С.М. Репинский.

      Создано: установки МЛЭ: «Селенга», «Ангара», «Катунь», «Обь».

Институт физики твердого тела и полупроводниковой электроники СО АН СССР

      /г. Новосибирск/

      Институт организован по инициативе А.В. Ржанова в соответствии с расп. правительства № 2133-рс от 3.08.1962г. расп. Президиума СО АН № 367-25/599 от 7.08.1962г. и пост. Президиума АН № 846 от 28.09.1962г. В 1964г. вошел в состав ИФП.

      Директор (28.09.1962г.-)- А.В. Ржанов.

      Зам. директора (10.08.1962г.-)- И.Г. Неизвестный.

Специальное конструкторско-технологическое бюро специальной электроники и аналитического приборостроения (СКТБ СЭиАП) СО АН СССР, Конструкторско-технологический институт прикладной микроэлектроники (КТИПМ), Новосибирский филиал ИФП «КТИПМ»

      /630090 г. Новосибирск пр. Академика Лаврентьева, 2/1 oesd.ru/

      СКТБ СЭиАП создано в 1980г. из ОГК Опытного завода СО АН.

      В 1979-90г. совместно с СКБ ВЭМ и ИФП создано 4 поколения сверхвысоковакуумных установок для молекулярно-лучевой эпитаксии «Ангара», «Катунь», «Катунь-В» и «Катунь-С».

      В 1991г. СКТБ преобразовано в КТИПМ. В 2006-18г. институт являлся Новосибирским филиалом ИФП.

      Направления работ (2000-е): разработка, изготовление, исследования и испытания оптико-электронных приборов и систем, в т.ч. тепловизионных на основе охлаждаемых и неохлаждаемых многоэлементных ФПУ, телевизионных и низкоуровневых телевизионных приборов на базе современных ЭОП, ПЗС- и КМОП-матриц.

      Имел корпуса: главный, производственный /ул. Николаева, 8/, опытное производство /ул. Тихая, 5/. Действовал тематический отдел специального технологического оборудования.

      Структура института (2019г.): руководитель – зам. руководителя, гл. инженер (отдел общехозяйственного обеспечения), Учёный секретарь, Отделы: НИО фотохимических технологий, тематический моделирования оптико-электронных приборов; бухгалтерия, группа по кадровому учёту, 1-й отдел, приёмная (канцелярия). Зам. руководителя по прикладной тематике – Отделы: НИО тепловидения и телевидения; тематические: конструирования оптико-электронных приборов, электронных систем, прикладной оптико-электронной техники и технологий. Зам. руководителя по производственной и технологической работе – Опытное производство, группа стандартизации и контроля качества. Зам. руководителя по экономике – ПЭО, отдел логистики.

      Численность персонала (2018г.)- около 220 чел.

      Начальник (1980-90г.)- К.К. Свиташев. Директор и.о. (2019г.)- С.М. Чурилов.

      Зам. директора: по научной проблематике и.о. (2019г.)- С.М. Чурилов; по производственной и технологической работе (2019г.)- В.В. Бузук; по прикладной тематике (2019г.)- В.Н. Федоринин; по экономике (2019г.)- Е.Н. Лебедева.

      Гл. инженер (2019г.)- Г.А. Захаров.

      Заведующие отделами: фотохимических технологий (2019г.)- А.В. Гельфанд; тепловидения и телевидения (2019г.)- К.П. Шатунов; конструирования оптико-электронных приборов (2019г.)- Л.И. Шапор; электронных систем (2019г.)- Д.Л. Кравченко; моделирования оптико-электронных приборов (2019г.)- А.В. Голицын; прикладной оптико-электронной техники и технологий (2019г.)- И.И. Кремис.

      Учёный секретарь (2019г.)- А.Г. Паулиш.

      Создано: нашлемный модуль визуализации (НМВ), цифровой телевизионный прицел «Носильщик»; тепловизоры: портативный «Контур», высокочувствительный «Купол»; прибор обнаружения двухканальный «Зарница»; камера тепловизионная для Ми-28 «ТПК-Зарево»; универсальная реконфигурируемая вычислительная система УРВС; устройство активно-импульского видения; пироэлектрический датчик электромагнитного излучения; комплекс тепловидеонаблюдения для пограничных войск «Ракурс».

НИУ «Институт сенсорной микроэлектроники» (ИСМЭ) СО РАН

      /644077 г. Омск пр. Мира, 55А/

      В 1996г. ИСМЭ включён в состав ОИФП СО РАН. Затем, вероятно, пост. Президиума РАН № 224 от 1.07.2003г. к ИФП вновь присоединён ИСМЭ СО РАН в качестве Омского филиала, пост. Президиума РАН № 440 от 2012г. он исключён из состава института.

      Директор (2002г.-)- В.В. Болотов.

Страница 1 из 9 | Следующая страница