Институты АН "И...Ф"

      Институт физики твердого тела (ИФТТ) АН СССР, НЦ, ФГБУН «ИФТТ» РАН

      /142432 г. Черноголовка Ногинского р-на Московской обл. ул. Академика Осипьяна, 2; г. Москва Ленинский пр., 64А тел. (496) 522-81-60 www.issp.ac.ru/

      ИФТТ в ведении Отделения общей и прикладной физики АН создан в соответствии с расп. правительства № 1855-р от 7.07.1962г. указом Президиума АН от 15.02.1963г. 12.12.1966г. утверждена структура института. Входил в состав Ногинского научного центра АН.

      В 12.1963г. начато строительство главного лабораторного корпуса (ГЛК) института, в 12.1967г. он введён в эксплуатацию. В 12.1964г. ГИПРОНИИ завершил разработку проекта зданий института. В 06.1968г. введён в эксплуатацию корпус общего назначения. В одном из корпусов на двух этажах размещался также Институт новых химических проблем АН. В 1969г. введен в строй экспериментально-технологического корпуса (ЭТК); в 12.1971г. – лабораторный корпус роста кристаллов.

      11.06.1965г. созданы первые лаборатории: физики высоких давлений (ЛФВД); механических свойств ионных кристаллов (ЛМСИК); экспериментальной минералогии и петрографии (ЛЭМП). К 12.1966г. действовали также: отдел материаловедения (ОМ); лаборатории: оптических свойств (ЛОС); механических свойств; спектроскопии дефектных структур (ЛСДС); группы: электронной структуры металлов (ГЭСМ); рентгеноструктурного анализа (ГРСА). 18.10.1968г. образована служба гл. инженера в составе отделов: гл. инженера, гл. механика; стеклодувной и механической мастерских. 31.01.1969г. образованы группы: структуры и свойств металлических монокристаллов; композитных материалов; электрофизических исследований; обработки металлов давлением; получения веществ высокой чистоты; роста кристаллов. 16.04.1969г. образована криогенная служба. 1.08.1969г. ЛЭМП преобразована в самостоятельный Институт экспериментальной минералогии. 29.01.1970г. организована группа плавки металлов; 5.06.1970г. – группа дифракционных методов исследования. В 08.1970г. создан экпериментально-технологический отдел. 8.02.1971г. организована группа вычислительной математики.

      В 1983г. часть подразделений выделена в самостоятельный ИПТМ АН.

      Принимал участие в программе создания ОК «Буран».

      Направления работ: физика твердого тела; исследования свойств материалов; технологии производства материалов.

      Численность персонала (12.1972г.)- около 1000 чел.

      Директор (1963-73г.)- академик (1953г.)- Г.В. Курдюмов, (1973-2002г.)- академик (1980г.) Ю.А. Осипьян.

      Зам. директора: по научной части (02.1963г.-)- Ю.А. Осипьян; (1963г.-)- Ч.В. Копецкий.

      Научный руководитель (2002-08г.)- Ю.А. Осипьян.

      Заведующие отделами: (1987г.-)- Е.И. Бурбо. Начальники отделов: ОМ (1966г.-)- Ч.В. Копецкий; экспериментально-технологического (1970г.-)- Д.В. Ульянов; АХО- А.Я. Баранков.

      Заведующие лабораториями: ЛФВД (1965г.-)- Е.Г. Понятовский; ЛМСИК (1965г.-)- Э.М. Надгорный; ЛЭМП (1965г.-)- И.П. Иванов; ЛОС (1966г.-)- В.Л. Броуде; ЛСДС (1966г.-)- Ю.А. Осипьян; (1983г.-)- В.И. Петинов, (1986г.-)- И.Ф. Щеголев.

      Заведующие секторами: (1985г.-)- Д.Е. Хмельницкий.

      Учёный секретарь и.о. (3.06.1964г.-)- В.И. Никитенко.

      Руководители групп: ГЭСМ (1966г.-)- Е.П. Вольский; ГРСА (1966г.-)- В.Ш. Шехтман; структуры и свойств металлических монокристаллов (1969г.-)- Ч.В. Копецкий; композитных материалов (1969г.-)- А.В. Серебряков; электрофизических исследований (1969г.-)- Б.А. Дьячков; обработки металлов давлением (1969г.-)- А.Н. Марков; получения веществ высокой чистоты (1969г.-)- Р.К. Николаев; роста кристаллов (1969г.-)- М.П. Кулаков; плавки металлов (1970г.-)- Глебовский; дифракционных методов исследования (1970г.-)- В.И. Никитенко; вычислительной математики (1971г.-)- Ю.Л. Родин.

Институт экспериментальной минералогии (ИЭМ) АН СССР, РАН

      /142432 г. Черноголовка Московской обл. тел. 913-21-12/

      ИЭМ создан 1.08.1969г. по инициативе академика Д.С. Коржинского из Лаборатории экспериментальной минералогии и петрографии ИФТТ, действовал в составе Ногинского научного центра АН.

      Ядерные технологии.

      Директор (1969-78г.)- академик (1953г.) Д.С. Коржинский {1.09.1899-16.12.1985}, (1979-2006г.)- академик (1987г.) В.А. Жариков {20.09.1926-29.07.2006}.

      Зам. директора (1969-79г.)- В.А. Жариков.

Институт проблем технологии микроэлектроники и особо чистых материалов (ИПТМ) АН СССР, ИПТМ РАН

      /142432 г. Черноголовка Ногинского р-на Московской обл. ул. Академика Осипьяна, 6 www.iptm.ru/

      ИПТМ АН создан по инициативе проф. Ч.В. Копецкого в соответствии с пост. правительства от 29.05.1983г. пост. Президиума АН № 1067 от 29.09.1983г. из подразделений ИФТТ, начал работу с 1.01.1984г. в составе Ногинского научного центра АН. Научно-методическое руководство осуществляло Отделение информатики и вычислительной техники и автоматизации АН.

      Задачами института определены: проведение фундаментальных исследований в области физических основ микроэлектроники и свойств микро- и нанообъектов; создание методов контроля и диагностики микроструктур; разработка новых техпроцессов микроструктурирования; поиск и получение новых материалов для микроэлектроники.

      В 1984г. из ИФТТ в ИПТМ переведено 320 чел. (в т.ч. 75 нс). В числе прочих было создано несколько отраслевых лабораторий совместно с фрязинским заводом им. 50-летия СССР МЭП, институтами МПСС, с ГИРЕДМЕТом. Кроме традиционного направления получения и анализа чистых веществ, были развиты два новых научных направления: металлическая наноэлектроника (лаборатория В.Т. Петрашева); Брегг-Френелевская рентгеновская оптика (отдел В.В. Аристова). Выплнены разработки в области электронно-лучевой и ионной литографии, плазменно-химического травления, осаждения плёнок методами CVD, стимулированного ЭЦП, электронно-лучевого, магнетронного и лазерного напыления.

      Направления работ (2021г.): физические принципы создания элементной базы наноэлектроники и квантовых компьютеров; разработка основ материаловедения и технологии элементной базы микросистемной техники, включая наноэлектронику, наноионику и нанооптику; развитие технологий получения и анализа материалов электронной техники; физические основы и технология формирования приборных структур микро- и наноэлектроники с помощью атомных, ионных и молекулярных пучков; исследование физических основ и разработка технологии элементной базы СВЧ электроники.

      В 1993г. на базе 5 лабораторий создан Аналитико-сертификационный центр ИПТМ.

      Структура института (2021г.): директор – зам. директора по науке (лаборатории: теоретической физики; квантовой электронной кинетики металлических наноструктур; экспериментально-технологическая; физики полупроводниковых наноструктур; эпитаксиальных микро- и наноструктур; ионной технологии; радиационно-стимулированных процессов; рентгеновской кристаллооптики; рентгеновской акустооптики; интегральной оптики; локальной диагностики полупроводниковых материалов; растровой электронной микроскопии; просвечивающей электронной микроскопии; высококачественных и совершенных плёнок; тонких плёнок; ядерно-физических и масс-спектральных методов анализа; группа физико-химических основ получения веществ особой чистоты), зам. директора (гл. бухгалтер, гл. экономист, АУП), гл. инженер (служба гл. инженера), учёный секретарь (ОНТИ). В составе лаборатории квантовой электронной кинетики металлических наноструктур: группа физики и технологии мезоскопических структур.

      Численность персонала (1984г.)- 320 чел. (в т.ч. 75 нс), (01.1990г.)- 786 чел. (в т.ч. 145 нс), (1.01.1995г.)- около 400 чел, (1.01.2005г.)- 399 чел. (в т.ч. 154 нс).

      Директор (1983-88г.)- проф. Ч.В. Копецкий, (1989-2004г.)- В.В. Аристов, (2004-20г.-)- проф. В.А. Тулин, (2021г.)- Д.В. Рощупкин.

      Зам. директора: по науке (2021г.)- В.И. Николайчик, (2021г.)- Д.В. Иржак; по общим вопросам (2021г.)- Р.С. Тишков; по коммерциализации (2021г.)- Н.А. Осипов.

      Гл. инженер (2021г.)- Д.В. Толмачев.

      Гл. экономист (2021г.)- К.Е. Варламова.

      Заведующие отделами: В.В. Аристов.

      Заведующие лабораториями: теоретической физики (2021г.)- В.В. Сироткин; экспериментально-технологической (2021г.)- А.Н. Редькин; физики полупроводниковых наноструктур (2021г.)- С.В. Морозов; эпитаксиальных микро- и наноструктур (2021г.)- С.Ю. Шаповал; ионной технологии (2021г.)- А.Ф. Вяткин; рентгеновской кристаллооптики (2021г.)- Е.В. Шулаков; рентгеновской акустооптики (2021г.)- Д.В. Рощупкин; интегральной оптики (2021г.)- А.Н. Грузинцев; локальной диагностики полупроводниковых материалов (2021г.)- Е.Б. Якимов; растровой электронной микроскопии (2021г.)- В.В. Казьмирук; просвечивающей электронной микроскопии (2021г.)- И.И. Ходос; высококачественных и совершенных плёнок (2021г.)- В.Н. Матвеев; тонких плёнок (2021г.)- В.А. Марченко; ядерно-физических и масс-спектральных методов анализа (2021г.)- В.К. Карандашев; В.Т. Петрашев.

      Учёный секретарь (2021г.)- О.В. Феклисова.

      Руководители групп: физики и технологии мезоскопических структур (2021г.)- А.И. Ильин; физико-химических основ получения веществ особой чистоты (2021г.)- Н.В. Лапин.