Предприятия № 301-350
Завод № 311 им. Красина МПСС, МРТП, Штамповально-механический завод им. Красина НКМП РСФСР, п/я 2351, Опытный завод НИИ-311 МПСС, Опытный завод НИИ ППС МЭП, Завод при НИИ «Сапфир» МЭП, п/я 2606, Государственный завод «Оптрон», В-2386, АООТ, ОАО «Оптрон»
/г. Москва ул. Электрозаводская, 7 (1935г.); (105058 г. Москва, Е-58) 105318 г. Москва, Е-318 ул. Щербаковская, 53 п/я 2351 (1949г.-), п/я 2606 (-1966г.) «Нитрон» (1984г.)/
/105187 г. Москва ул. Щербаковская, 53 тел. 369-64-80 www.optron.ru/
В 1935г. – Штамповально-механический завод им. Красина Промкомбината Сталинского райсовета Мосгорисполкома;179 в 05.1938г.– в ведении НКМП РСФСР.
Производство (1935г.): детали для текстильных и обувных фабрик. В 1939г. завод переориентирован на производство ложек из нержавеющей стали. В годы войны выпускал гранаты и авиационные снаряды, заправщики на шасси ЗиС-5.
В соответствии с ПСМ № 3516-1465сс от 15.08.1949г. по пр. ММП РСФСР/МПСС № 893сс/СС-345 от 3.09.1949г. штамповочно-механический Завод им. Красина Минместпрома РСФСР передан в ведение 5ГУ МПСС по балансу на 1.07.1949г. В соответствии с расп. правительства № 16628-рс от 23.10.1949г. по пр. МПСС № СС-415 от 25.10.1949г. ему присвоено наименование завод № 311 им. Красина.190 В соответствии с ПСМ № 3482-1680 от 14.09.1951г. и пр. МПСС № 437 на базе заводов № 311 и № 732 образован НИИ-311 с опытным заводом и ОКБ по разработке и внедрению в производство электровакуумных приборов. В 1956г. Опытный завод вместе с НИИ-311 переведен в МРТП. По пр. МРТП № 257 от 14.09.1956г. завод выведен из состава НИИ-311 и реорганизован в завод № 311 для производства деталей электровакуумных приборов. По пр. МЭП № 24с от 12.02.1966г. завод № 311 преобразован в опытный завод НИИ ППС. С 1973г. – опытный завод при НИИ «Сапфир» (и на 1984г.), далее завод «Оптрон» – в составе НПП «Сапфир». Имел наименования: «п/я 2351» (1949г.-), «п/я 2606» (-1966г.), «п/я В-2386» (1984г.).201 С 01.1991г. – Государственный завод «Оптрон». В 08.1993г. акционирован и преобразован в АООТ «Оптрон», с 06.1997г. – ОАО. По решению правительства № 22-р от 9.01.2004г. вошло в перечень стратегических предприятий. В соответствии с пост. Правительства № 96 от 20.02.2004г. по пр. Минпромторга № 1828 от 3.07.2015г. ОАО включено в реестр организаций ОПК. Действовало в ведении Минпромторга (2015г.).202
Директор (09.1984г.)- С.С. Богданов, (2000г.)- Г.В. Смирнов. Гендиректор (2005-08г.)- А.С. Якунин.
Гл. инженер (09.1984г.)- Л.В. Губырин.
Производство: металлическая арматура для учебных авиабомб ЦАБ (1938); репродуктор «Рекорд» (1946), радиола «Салют» (1946), радиоприемник М-648 (-1951), пускорегулирующее устройство для люминесцентных ламп (1953-), алундовый подогреватель для ламп (1953).
НИИ-311 МПСС, МРТП, п/я 2603, НИИ полупроводникового приборостроения (НИИ ППС) МЭП, Х-5594, Государственный НИИ «Сапфир» МЭП, АООТ, ОАО «НПП «Сапфир»ФАП
/(105058 г. Москва, Е-58) 105318 г. Москва, Е-318 ул. Щербаковская, 53 п/я 2603 «Силан» (1984г.)/
/105318 (105187) г. Москва ул. Щербаковская, 53 тел. 369-30-36, 366-37-36 www.sapfir.ru/
НИИ-311 образован в соответствии с ПСМ № 3482-1680 от 14.09.1951г. по пр. МПСС № 437 на базе заводов № 311 и № 732. В 1956г. НИИ-311 переведен в МРТП и перепрофилирован на разработку и производство полупроводниковых диодов и тиристоров. В 1956-59г. сюда из НИИ-35 переведены 3 лаборатории: точечных транзисторов, СВЧ детекторов, плоскостных диодов. С 1966г. – НИИ ППС МЭП, в 1972г. переименован в НИИ «Сапфир». В 09.1984г. – в ведении 2ГУ МЭП. Имел наименования: «п/я 2603» (-1966г.), «п/я Х-5594» (1984г.).201
Построен по проекту МГСПИ. Далее НИИ «Сапфир» стал головным предприятием по разработке полупроводниковых приборов, в 1974г. – в ведении МЭП.
2.07.1968г. организован филиал (экспериментальное производство) института в г. Болхов (далее Болховский завод ПП). Институт имел завод (1984г.).
По 1974г. создано более 100 типов полупроводниковых приборов (диоды: импульсные кремниевые и германиевые, выпрямительные высоковольтные, СВЧ, туннельные; тиристоры, стабилитроны, варикапы; индикаторы, оптроны; специальные интегральные схемы: КНС, ЦМД).
В 1974г. институт определен головным по разработке и производству новых полупроводниковых приборов: некогерентных оптоэлектронных приборов, специальных микросхем на базе технологии КМОП КНС («кремний на сапфире»), СБИС на основе цилиндрических магнитных доменов.
Созданы новые направления развития СВЧ изделий: разработка параметрических диодов; смесительных и детекторных диодов, диодов Шоттки (М.Д. Дмитриев).
13.09.1993г. ГосНИИ «Сапфир» акционирован (в соответствии с Указом президента РФ № 721 от 1.07.1992г.) и преобразован в АООТ «НПП «Сапфир», 26.11.1999г. АООТ переименовано в ОАО. В 2005г. – в ведении Управления РЭ промышленности и систем управления ФАП.
Разработка и производство (2002-07г.): полупроводниковые приборы и изделия электронной техники (радиационно-стойкие микросхемы КМОП КНС, прецизионные стабилитроны, коммутационные диоды, варикапы, оптоэлектронные приборы: суперяркие светоизлучающие приборы, знако-синтезирующие индикаторы, фотодиоды, оптопары, модули экранов); энергосберегающие технологии; преобразователи частоты для асинхронных электродвигателей, полупроводниковые экраны, комплексы светосигнального аэродромного оборудования.
В 2005г. велись ОКР «Сенокос» (разработка уникальной гибридной микросхемы акселерометра), «Молот 1» и «Молот К» (разработка сверхстойких БИС ОЗУ), «Меркурий 7», «Маяк Д» (улучшение характеристик микросхем 1825, Б1620), «Рубин 0» (внедрение полиимидных носителей лакофольгового диэлектрика ФДИ-АП), «Сток» (защита от статического электричества БИС КНС), «Маска» (подготовка производства микросхем 1825, Б1620 «ОСМ»); НИР «Маяк ПИ». В 2005г. введен в строй участок по производству гибких полиимидных носителей.
В составе предприятия: опытный завод; цех № 15; (2005г.): корпуса: № 1 (производственный), № 2 (производственный), № 15 (производственный), № 17 (офисный); отдел № 250- разработка микросхем, цех № 30- производство микросхем.
В 2010г. разработан проект (МосЭП) реконструкции производства радиационностойких БИС КНС серий 1620, Б1620, 1825, Б1825 комплекса 3К-30.
Численность персонала (2002г.)- 615 чел., (2005г.)- 395 чел.
Директор (09.1984г.)- Л.С. Гарба. Гендиректор (2000г.)- Н.Н. Усов, (2002г.)- А.С. Адонин, (2002-07г.-)- А.Ю. Сметанов.
1-й зам. гендиректора (2007г.)- А.М. Баширов. Зам. директора, гендиректора: по науке (2000-е)- В.М. Деревянкин; по финансовым вопросам (2002г.)- О.А. Данилкин; по кадрам и режиму (09.1984г.)- Е.В. Степанищев, по кадрам и управлению имуществом (2005г.)- В.В. Горбунов; (2000-е)- А.М. Баширов.
Ген. конструктор (2005г.)- В.М. Деревянкин.
Гл. инженер (09.1984г.)- А.К. Катман, В.П. Сушков, И.И. Круглов, (2001-02г.)- А.Ю. Сметанов; и.о. (2002г.)- В.Н. Поярков; (2002-07г.-)- А.М. Баширов.
Гл. технолог (2005г.)- И.А. Сенников.
Начальники отделений: научно-производственного комплекса- А.М. Баширов.
Гл. конструкторы: В.М. Деревянкин, Н.Т. Тищенков; направления «Смесительные и детекторные диоды» (1977г.-)- М.Д. Дмитриев.
Начальники отделов: маркетинга (2002г.)- В.Ф. Жадько; ПЭО (2005г.)- С.Б. Смирнов; 1-го (09.1984г.)- А.Н. Савин; (1992-2002г.)- А.М. Баширов, (1970-е)- А.Б. Гитцевич, В.М. Деревянкин, (2000-е)- Н.Т. Тищенков.
Начальники лабораторий: А.М. Баширов, В.М. Деревянкин, Ю.Р. Носов, (1975г.-)- И.В. Поляков.
Научные руководители НИР: М.Д. Дмитриев, Н.Т. Тищенков.
Председатель совета директоров (2005-06г.-)- Р.В. Игудин.
Член совета директоров (2005-06г.-)- А.М. Баширов, (2005-06г.-)-С.В. Лаптиев, (2005-06г.-)- И.Н. Посканная, (2005-06г.-)- А.Ю. Сметанов, (2005-06г.-)- М.А. Федотова, (2005-06г.-)- В.А. Ханин.
Председатель правления (2005г.)- А.Ю. Сметанов. Члены правления (2005г.)- А.Ю. Сметанов, (2005-06г.-)- В.М. Деревянкин, (2005-06г.-)- В.В. Горбунов, (2005-06г.-)- И.А. Сенников, (2005-06г.-)- С.Б. Смирнов.
Создано: диоды: фотодиоды: У163, спектрофотометрический СФДФ «Визор»; светоизлучающие АЛ307Б, АЛ336А, КИПД05, КИПД14, КИПД23, КИПД36, КИПД19, КИПД37, КИПМ01, КИПМ05, КИПМ06, КИПМ07; инфракрасные АЛ156А, У165; пикосекундный туннельный 1И308 (1980-е); оптопары АОТ138, ОАУ115, ОАУ160, ОАУ171, К434КП1АС; стабилитроны 2С117Г-П, 2С108Г-С, 2С122А-Е, 2С123А-Е, ПС640, ИС 751 (2С403), ИС 251, ИС 501, ИС 121 (2С121); радиационно-стойкие микросхемы: 1523, 1620, 1825, Б1620РУ2, Б1620РЕ1, Б1825ВР3, Б1825ВА1, Б1825ИР1, Б1825ВУ1, Б1825ВБ1, Б1825ВС3, Б1825ВВ1, Б635А, Б681, Б605 (1523ПВ1), Б606 (1523ПВ2), Б618 (КМ1175ПВ2), Б582А, Б673; цифровые индикаторы АЛС320; преобразователь частоты АП-140.
НПО «Сапфир», Х-5594
/г. Москва/
Имело наименование «п/я Х-5594».
«Яхонт»
/г. Москва ул. Щербаковская, 53 тел. 366-15-33/
Электронная промышленность (2000г.).
Завод элементов электровакуумных приборов «Эмиртон» МЭП, п/я 2351, п/я 3317, А-7398
/(117418 г. Москва, М-418) 117259 г. Москва, М-259 Нахимовский пр., 24 «Бати»/
В 09.1984г. завод «Эмиртон» – в ведении 8ГУ МЭП. Имел наименования: «п/я 2351» (-1964г.), «п/я 3317» (09.1964г.-), «п/я А-7398» (1984г.).201
Имел ОКБ (1984г.), Комсомольский филиал (1984г.).
Был в 2004г. Затем ликвидирован, на его месте – выставочный комплекс «Экспострой».
Директор (09.1984г.)- Ю.Г. Егоров.
Гл. инженер (09.1984г.)- Н.А. Иофис, Ю.С. Шарков.
Начальник 1-го отдела (09.1984г.)- С.А. Сорокин.
Комсомольский филиал завода «Эмиртон» МЭП, Г-4446
/Чувашская АССР 429340 с. Комсомольское Комсомольского р-на «Эмиртон»/
Имел наименование «п/я Г-4446» (1984г.).201
Директор (09.1984г.)- Н.Ф. Захаров.
НИИ социальных технологий № 311 (НИИ-311) Самарского университета
См. НИИ-201.