Предприятия № 21-40
НИИ полупроводниковой электроники № 35 (НИИ-35) ГКЭТ, п/я 281, Ордена Ленина и ТКЗ НИИ «Пульсар»МЭП, А-3562, НПО «Пульсар», ФГУП, ОАО «НПП «Пульсар»
/(105187 г. Москва, Е-187) 105318 г. Москва, Е-318 Окружной пр-д, 27 п/я 281 «Гибрид» (1984г.)/
/105187 г. Москва Окружной пр-д, 27 тел. 369-49-26/
НИИ полупроводниковой электроники (НИИ-35) создан по инициативе А.И. Берга и М.Г. Первухина как первое отечественное предприятие полупроводниковой электроники в соответствии с ПСМ № 1402-563 от 4.06.1953г. по пр. МЭСЭП № 60 от 9.06.1953г. В 09.1984г. НИИ «Пульсар» – в ведении 2ГУ МЭП. Имел наименования: «п/я 281» (-1966г.), «п/я А-3562» (1984г.).201
Первоначально в составе института: отделы: диодов, транзисторов, применения новых приборов; физическая лаборатория. Размещался институт в 5-этажном лабораторном корпусе, в недостроенном гараже располагалась производственная лаборатория, где изготавливались опытные серии приборов (далее на базе производственной лаборатории создан Опытно-показательный завод полупроводниковых приборов спецназначения). В 1956-59г. из НИИ-35 в НИИ-311 переведены 3 лаборатории: точечных транзисторов, СВЧ детекторов, плоскостных диодов. По пр. ГКЭТ от 2.06.1961г. в составе НИИ-35 создано ЦБПНПП. В конце 1961г. организован отдел микроэлектроники. В 1962г. организован первый в стране технологический участок для производства транзисторов по планарной технологии. В 1968г. вступил в строй первый в стране экспериментальный цех по производству планарных микросхем. В 1972г. с помощью машины «Киев-70» созданы микроструктуры размером 0,5-0,7 мкм.
В 1964г. в помещениях института временно размещался новый НИИМЭ. При помощи института создано ОКБ ульяновского завода «Искра».
В 1959г. Б.В. Малиным создана третья в мире интегральная схема (ИС) на германии (первыми в 1958г. были J. Kilby из Texas Instruments и R. Noyce из Fairchild Semiconductor, США), в 1962г. изготовлена первая отечественная ИС «Тропа», являвшаяся копией американской SN-51. В 1962-65г. создано опытное производство ИС, к 1967г. – серийное. Затем коллектив разработчиков переведён в Зеленоград в НИИМЭ.76 Созданы первые советские сплавные транзисторы П1-П2 «Плоскость». Впервые в мире созданы лавинно-пролетные диоды (В.М. Вальд-Перлов). Разработан первый отечественный твердотельный СВЧ усилитель раскачки ЛБВ системы «Чегет», СВЧ приемник визирования целей ЗРК С-125 (И.М. Аболдуев). Разработаны первые в стране гибридные СВЧ интегральные схемы диодных смесителей и мощные СВЧ полевые транзисторы на арсениде галлия (А.М. Зубков). Приемо-передающие модули СВЧ: для РЛК «Небо-М, -S», «Гамма-Д», 1РС1-1 (А.С. Евстигнеев); для зондирования атмосферы (ОКР «Пурга»). Впервые в стране внедрены в производство СВЧ резонаторные микросхемы на поверхностных акустических волнах и серия стабильных СВЧ генераторов на их основе (Ю.В. Колковский). Созданы первые отечественные: твердотельный ответчик системы вторичной РЛ госопознавания (В.Г. Маранц); твердотельные модули АФАР X- и L-диапазонов (ОКР «Памир 3Х1», 1971-75г.; И.И. Моин). Созданы фоточувствительные приборы с зарядовой связью, мощные биполярные транзисторы. Разработаны новые методы в конструировании и изготовлении полупроводников: диффузии легирующих примесей в в кристаллы германия и кремния, эпитаксиальное наращивание, пиролитическое разложение соединений германия, кремния.
Создана научная школа в области теоретических и экспериментальных исследований параметров транзисторов (В.Л. Аронов, Ю.А. Каменецкий). Создано новое научное направление по разработке аппаратуры твердотельного СВЧ РЭ приборостроения (Ю.П. Докучаев).
Разработка и производство (2002г.): полупроводниковые приборы и микроэлектронные схемы, технологии и конструкции приборов; технологическое и контрольно-измерительное оборудование; кремниевые, арсенидгалиевые транзисторы; узлы и блоки аппаратуры радиолокации и связи; устройства на поверхностно-акустических волнах; фоточувствительные приборы.
Имел дочернее предприятие (2002г.)- Государственныйзавод «Пульсар».
По Указу Президента РФ № 1009 от 4.08.2004г. вошло в перечень стратегических оборонных предприятий. В 2007г. планировалось вхождение предприятия в холдинг «Электронные системы» ОПК «Оборонпром». Указом Президента № 1052 от 10.07.2008г. ФГУП исключено из перечня стратегических предприятий и включено в состав Корпорации «Ростехнологии». В соответствии с пост. Правительства № 96 от 20.02.2004г. по пр. Минпромторга № 1828 от 3.07.2015г. ОАО включено в реестр организаций ОПК. Действовало в ведении Минпромторга (2015г.).202
В 2011г. разработан проект (МосЭП) создания на предприятии базового центра системного проектирования.
Директор (-1960-62г.-)- А.А. Маслов, (1963-76г.)- А.Ф. Трутко, (-09.1984-2002г.-)- Ю.П. Докучаев.69 Гендиректор (2005-07г.-)- А.Г. Васильев.
Зам. директора, гендиректора: по научной работе (1965-82г.)- Я.А. Федотов; по производству (2006-07г.-)- И.И. Кушнеренко; по разработке РТ изделий (2005-07г.-)- А.С. Евстигнеев; по кадрам и режиму (1980-е)- В.А. Кавин.
Гл. конструктор- Б.В. Малин. Ген. конструктор- Ю.П. Докучаев (гл. конструктор отрасли по полупроводниковым приборам).
Гл. инженер (09.1984г.)- Г.Э. Корнильев, (1997-207г.-)- М.М. Крымко.
Зам. гл. инженера (-1996г.)- Ф.Г. Онуприенко.
Начальники отделений: (1961-87г.)- Ю.А. Каменецкий, (2000-е)- Ю.В. Колковский, (-2006г.)- В.Г. Маранц.
Зам. начальника отделения: по разработке методов измерений, измерительной аппаратуры и комплексированных изделий электронной техники (-2006г.)- И.И. Кушнеренко; (1968г.-)- И. М. Аболдуев.
Гл. конструкторы: (-1958-59г.-)- В.И. Диковский (П501-П503, «Памир 1-L-1»), И.И. Моин («Пурга», особо надежные транзисторы для ГЛОНАСС), А.Л. Филатов.
Зам. гл. конструкторов: В.Л. Аронов («Памир 1-L-1»).
Начальники отделов: микроэлектроники (1961г.-)- Б.В. Малин; 1-го (09.1984г.)- А.С. Королев; (2000-05г.)- А.С. Евстигнеев, (1953-79г.)- А.В. Красилов, (1987г.-)- И.И. Кушнеренко, (2000-е)- И.И. Моин, (2000-е)- Ю.С. Сендерук. Начальник дизайн-центра по СВЧ микроэлектронной аппаратуре- А.М. Зубков.
Начальники лабораторий: (1961-97г.)- В.Л. Аронов, (1956-90г.-)- В.М. Вальд-Перлов, (1956-2000-е)- В.И. Диковский, (2000-е)- А.Б. Полянов, (1961г.)- А.Ф. Трутко, А.Л. Филатов, (-1998г.)- А.П. Шибанов.
Научные руководители НИР: А.Л. Филатов.130
Создано: транзисторы: кремниевые П501-П503 (1959); высокочастотный диффузионный П-401 (1960); интегральная схема ИС-110.
Центральное бюро применения и нормализации полупроводниковых приборов (ЦБПНПП) при НИИ-35 ГКЭТ, п/я 295, ЦНИИ применения электронных изделий (ЦНИИПЭИ)МЭП, ЦНИИ «Циклон» МЭП, В-8420, ОАО «ЦНИИ «Циклон»
/(105187 г. Москва, Е-187) 105318 г. Москва, Е-318 ул. Вольная, 34 корп. 20 п/я 295 «Анкета» (1984г.)/
/107497 г. Москва Щелковское ш., 77 тел. 460-48-00/
ЦБПНПП в составе НИИ-35 создано 2.06.1961г. по пр. ГКЭТ от 19.05.1961г. С 1965г. – в ведении МЭП (по 1991г.). По пр. от 6.03.1973г. на базе ЦБПНПП в 07.1973г. создан самостоятельный ЦНИИПЭИ, по пр. от 12.06.1974г. он переименован в ЦНИИ «Циклон». В 09.1984г. – в ведении ГлавНТУ МЭП. Имел наименования: «п/я 295» (-1966г.), «п/я В-8420» (1984г.).201
Имел Фрязинский филиал (1984г.).
С 1964г. – разработка пилотных образцов РЭ устройств, с 1968г. – разработка средств вычислительной техники.
Институт построен по проекту МГСПИ. Определен головной организацией МЭП по применению изделий электронной техники, осуществлял научно-методическое руководство всеми службами отрасли.
В 1973г. на базе Центрального бюро электровакуумных приборов создан Фрязинский филиал ЦНИИПЭИ.
Направления деятельности (1973-91г.): организация и научно-техническое руководство отраслевыми работами стратегического характера; инициирование разработок и продвижение ключевых электронных компонентов; создание инструментальных средств – программно-аппаратных комплексов для всех отечественных микропроцессоров; разработка вычислительной техники; исследования надёжности и радиационной стойкости полупроводниковых приборов; работы в области качества, надежности электронной техники.
Пр. МЭП в 1982г. институт определен головным по применению микропроцессоров. Пр. МЭП в 1983г. при институте создан межотраслевой консультационно-технический центр (КТЦ) по применению микропроцессорови по обеспечению развития БИС программируемой логики (ПЛИС).
В соответствии с пост. Правительства № 96 от 20.02.2004г. по пр. Минпромторга № 1828 от 3.07.2015г. ОАО включено в реестр организаций ОПК. Действовало в ведении Минпромторга (2015г.).202
В 2000г.: ОКР «Сила» по разработке микропроцессорной системы автоматизации нефтеперекачивающих станций.
Принимал участие в программах: «Марс-94/96», «Ямал-100, -200», «Сесат», КК «Прогресс», МКС.
Направления деятельности (2005г.): разработка и освоение производства: сложных ОЭС военного применения, портативных переносных тепловизионных и теплотелевизионных коаксиальных систем визуализации; матричных ИК приемников 3-го поколения; специализированной оптики УФ, видимого и ИК диапазонов; проектирование сверхбольших БИС; аппаратно-программных комплексов телеметрического контроля и управления. (2012г.): производство микродисплеев по технологии OLED (третье в мире после Франции и Германии).
Директор (09.1984г.)- В.И. Иванов. Гендиректор (-1999-2005г.-)- В.В. Тарасов.
Зам. гендиректора (-05.2010-12г.-)- О. Яковлев.
Гл. инженер (09.1984г.)- Ю.Ф. Широков, В.Ф. Пышинский.
Гл. конструкторы (2005г.)- В. Груздев.
Создано: калькуляторы «Электроника-ДД, -68» (1968), настольная ЭВМ «Электроника-70», периферийные устройства (внешнее запоминающее устройство повышенной емкости, интерфейсные блоки, принтер); тепловизионные каналы: для танкового прибора наблюдения ТВН-10 (2000-е), для системы обработки видеоизображений «Охотник» (2005); интегрированное устройство «Грифон»; тепловизионный прицел для стрелкового оружия «Шахин» (2000-е);.101
Фрязинский филиал ЦНИИПЭИ МЭП, Фрязинский филиал ЦНИИ «Циклон» МЭП, Х-5806, ФГУП, ОАО «НПП «Циклон-Тест»
/(141100 г. Щелково) 141120 г. Фрязино Московской обл. «Рубеж»/
Фрязинский филиал ЦНИИПЭИ создан в ~ 1973г. на базе Центрального бюро электровакуумной техники.101 В 09.1984г. – в ведении ГлавНТУ МЭП. Имел наименование «п/я Х-5806» (1984г.).201
Имел Московское отделение (1984г., затем ликвидировано).
По Указу Президента РФ № 1009 от 4.08.2004г. вошло в число стратегических оборонных предприятий. Указом Президента № 1052 от 10.07.2008г. ФГУП исключено из перечня стратегических предприятий и включено в состав Корпорации «Ростехнологии». В соответствии с пост. Правительства № 96 от 20.02.2004г. по пр. Минпромторга № 1828 от 3.07.2015г. ОАО включено в реестр организаций ОПК. Действовало в ведении Минпромторга (2015г.).202
Директор (09.1984г.)- В.Б. Степанищев.
Гл. инженер (09.1984г.)- Б.А. Шувалов.
Начальник 1-го отдела (09.1984г.)- М.Д. Лавров.
Московское отделение Фрязинского филиала ЦНИИ «Циклон» МЭП, Ю-9845
/г. Москва ул. Вольная, 34 корп. 20 «Искра»/
Было в 1984г., затем ликвидировано. Имело наименование «п/я Ю-9845» (1984г.).201
Начальник (1980-е)- В.В. Ведерников.
Начальник 1-го отдела (1980-е)- И.Ф. Беленков.
Опытно-показательный завод полупроводниковых приборов спецназначенияпри НИИ-35ГКЭТ, п/я 4052, Московский завод «Пульсар», Завод при НИИ «Пульсар» МЭП, В-8590,ФГУП, ОАО«Государственный завод «Пульсар»
/(105187 г. Москва, Е-187) 105318 г. Москва, Е-318 Окружной пр-д, 27 «Гибрид» (1984г.)/
/105187 г. Москва Окружной пр-д, 27 www.pulsar.rosprom.org/history.php/
Опытный завод НИИ-35 создан на базе производственной лаборатории института. Имел наименования «п/я 4052», «п/я В-8590» (1984г.).201
В 1970-е г. на заводе внедрена опытная линия «Корунд» по производству ИС. В 1973г. на заводе налажен выпуск малошумящих и мощных транзисторов сантиметрового и миллиметрового диапазона волн на арсениде галлия.
Являлся дочерним предприятием НПП «Пульсар».
По Указу Президента РФ № 1009 от 4.08.2004г. вошел в число стратегических оборонных предприятий. В 2007г. планировалось вхождение предприятия в холдинг «Электронные системы» ОПК «Оборонпром». Указом Президента № 1052 от 10.07.2008г. ФГУП исключено из перечня стратегических предприятий и включено в состав Корпорации «Ростехнологии». В соответствии с пост. Правительства № 96 от 20.02.2004г. по пр. Минпромторга № 1828 от 3.07.2015г. ОАО включено в реестр организаций ОПК. Действовало в ведении Минпромторга (2015г.).202
Директор (1960г.)- Беглецов,76 (09.1984г.)- Ю.П. Докучаев, (1991г.)- Г.А. Бабаян, (1995-2003г.-)- В.А. Буробин.
Гл. инженер (09.1984г.)- Г.В. Ржанов.
Производство: транзистор 2ТМ103.