Предприятия № 21-40

НИИ полупроводниковой электроники № 35 (НИИ-35) ГКЭТ, НИИ «Пульсар», А-3562, НПО «Пульсар», ФГУП «НПП «Пульсар»

/105187 г. Москва Окружной пр., 27 тел. 369-49-26/

НИИ полупроводниковой электроники (НИИ-35) создан по инициативе А.И. Берга и М.Г. Первухина как первое отечественное предприятие полупроводниковой электроники в соответствии с ПСМ № 1402-563 от 4.06.1953г. по пр. МЭСЭП № 60 от 9.06.1953г. НИИ «Пульсар» имел наименование «п/я А-3562».

Первоначально в составе института: отделы: диодов, транзисторов, применения новых приборов; физическая лаборатория. Размещался институт в 5-этажном лабораторном корпусе, в недостроенном гараже располагалась производственная лаборатория, где изготавливались опытные серии приборов (далее на базе производственной лаборатории создан Опытно-показательный завод полупроводниковых приборов спецназначения). В 1956-59г. из НИИ-35 в НИИ-311 переведены 3 лаборатории: точечных транзисторов, СВЧ детекторов, плоскостных диодов. По пр. ГКЭТ от 2.06.1961г. в составе НИИ-35 создано ЦБПНПП. В конце 1961г. организован отдел микроэлектроники. В 1962г. организован первый в стране технологический участок для производства транзисторов по планарной технологии. В 1968г. вступил в строй первый в стране экспериментальный цех по производству планарных микросхем. В 1972г. с помощью машины «Киев-70» созданы микроструктуры размером 0,5-0,7 мкм.

В 1964г. в помещениях института временно размещался новый НИИМЭ. При помощи института создано ОКБ ульяновского завода «Искра».

В 1959г. Б.В. Малиным создана третья в мире интегральная схема (ИС) на германии (первыми в 1958г. были J. Kilby из TexasInstruments и R. Noyce из FairchildSemiconductor, США), в 1962г. изготовлена первая отечественная ИС «Тропа», являвшаяся копией американской SN-51. В 1962-65г. создано опытное производство ИС, к 1967г. – серийное. Затем коллектив разработчиков переведён в Зеленоград в НИИМЭ.76 Созданы первые советские сплавные транзисторы П1-П2 «Плоскость». Впервые в мире созданы лавинно-пролетные диоды (В.М. Вальд-Перлов). Разработан первый отечественный твердотельный СВЧ усилитель раскачки ЛБВ системы «Чегет», СВЧ приемник визирования целей ЗРК С-125 (И.М. Аболдуев). Разработаны первые в стране гибридные СВЧ интегральные схемы диодных смесителей и мощные СВЧ полевые транзисторы на арсениде галлия (А.М. Зубков). Приемо-передающие модули СВЧ: для РЛК «Небо-М, -S», «Гамма-Д», 1РС1-1 (А.С. Евстигнеев); для зондирования атмосферы (ОКР «Пурга»). Впервые в стране внедрены в производство СВЧ резонаторные микросхемы на поверхностных акустических волнах и серия стабильных СВЧ генераторов на их основе (Ю.В. Колковский). Созданы первые отечественные: твердотельный ответчик системы вторичной РЛ госопознавания (В.Г. Маранц); твердотельные модули АФАР X- и L-диапазонов (ОКР «Памир 3Х1», 1971-75г.; И.И. Моин). Созданы фоточувствительные приборы с зарядовой связью, мощные биполярные транзисторы. Разработаны новые методы в конструировании и изготовлении полупроводников: диффузии легирующих примесей в в кристаллы германия и кремния, эпитаксиальное наращивание, пиролитическое разложение соединений германия, кремния.

Создана научная школа в области теоретических и экспериментальных исследований параметров транзисторов (В.Л. Аронов, Ю.А. Каменецкий). Создано новое научное направление по разработке аппаратуры твердотельного СВЧ РЭ приборостроения (Ю.П. Докучаев).

Разработка и производство (2002г.): полупроводниковые приборы и микроэлектронные схемы, технологии и конструкции приборов; технологическое и контрольно-измерительное оборудование; кремниевые, арсенидгалиевые транзисторы; узлы и блоки аппаратуры радиолокации и связи; устройства на поверхностно-акустических волнах; фоточувствительные приборы.

Имел дочернее предприятие (2002г.)- Государственныйзавод «Пульсар».

По Указу Президента РФ № 1009 от 4.08.2004г. вошло в перечень стратегических оборонных предприятий. В 2007г. планировалось вхождение предприятия в холдинг «Электронные системы» ОПК «Оборонпром». Указом Президента № 1052 от 10.07.2008г. ФГУП исключено из перечня стратегических предприятий и включено в состав Корпорации «Ростехнологии».

В 2011г. разработан проект (МосЭП) создания на предприятии базового центра системного проектирования.

Директор (-1960-62г.-)- А.А. Маслов, (1963-76г.)- А.Ф. Трутко, (-1991-2002г.-)- Ю.П. Докучаев.69 Гендиректор (2005-07г.-)- А.Г. Васильев.

Зам. директора, гендиректора: по научной работе (1965-82г.)- Я.А. Федотов; по производству (2006-07г.-)- И.И. Кушнеренко; по разработке РТ изделий (2005-07г.-)- А.С. Евстигнеев.

Гл. конструктор- Б.В. Малин. Ген. конструктор- Ю.П. Докучаев (гл. конструктор отрасли по полупроводниковым приборам).

Гл. инженер (1997-207г.-)- М.М. Крымко.

Зам. гл. инженера (-1996г.)- Ф.Г. Онуприенко.

Начальники отделений: (1961-87г.)- Ю.А. Каменецкий, (2000-е)- Ю.В. Колковский, (-2006г.)- В.Г. Маранц.

Зам. начальника отделения: по разработке методов измерений, измерительной аппаратуры и комплексированных изделий электронной техники (-2006г.)- И.И. Кушнеренко; (1968г.-)- И. М. Аболдуев.

Гл. конструкторы: (-1958-59г.-)- В.И. Диковский (П501-П503, «Памир 1-L-1»), И.И. Моин («Пурга», особо надежные транзисторы для ГЛОНАСС), А.Л. Филатов.

Зам. гл. конструкторов: В.Л. Аронов («Памир 1-L-1»).

Начальники отделов: микроэлектроники (1961г.-)- Б.В. Малин; (2000-05г.)- А.С. Евстигнеев, (1953-79г.)- А.В. Красилов, (1987г.-)- И.И. Кушнеренко, (2000-е)- И.И. Моин, (2000-е)- Ю.С. Сендерук. Начальник дизайн-центра по СВЧ микроэлектронной аппаратуре- А.М. Зубков.

Начальники лабораторий: (1961-97г.)- В.Л. Аронов, (1956-90г.-)- В.М. Вальд-Перлов, (1956-2000-е)- В.И. Диковский, (2000-е)- А.Б. Полянов, (1961г.)- А.Ф. Трутко, А.Л. Филатов, (-1998г.)- А.П. Шибанов.

Научные руководители НИР: А.Л. Филатов.130

Создано: транзисторы: кремниевые П501-П503 (1959); интегральная схема ИС-110.

Опытно-показательный завод полупроводниковых приборов спецназначения

Опытный завод НИИ-35 создан на базе производственной лаборатории института.

Директор (1960г.)- Беглецов.76

Центральное бюро применения и нормализации полупроводниковых приборов (ЦБПНПП) при НИИ-35 ГКЭТ, ЦНИИ применения электронных изделий (ЦНИИПЭИ), ЦНИИ «Циклон» МЭП, В-8420, ОАО «ЦНИИ «Циклон»

/107497 г. Москва Щелковское ш., 77 тел. 460-48-00/

ЦБПНПП в составе НИИ-35 создано по пр. ГКЭТ от 2.06.1961г.

С 1964г. – разработка пилотных образцов РЭ устройств, с 1968г. – разработка средств вычислительной техники.

По пр. от 07.1973г. на базе ЦБПНПП создан самостоятельный ЦНИИПЭИ, в 1974г. он переименован в ЦНИИ «Циклон» в ведении МЭП. Построен по проекту МГСПИ. Имел наименование «п/я В-8420». Определен головной организацией МЭП по применению изделий электронной техники, осуществлял научно-методическое руководство всеми службами отрасли.

В 1973г. на базе Центрального бюро электровакуумных приборов создан Фрязинский филиал ЦНИИПЭИ.

Направления деятельности (1973-91г.): организация и научно-техническое руководство отраслевыми работами стратегического характера; инициирование разработок и продвижение ключевых электронных компонентов; создание инструментальных средств- программно-аппаратных комплексов для всех отечественных микропроцессоров; разработка вычислительной техники; работы в области качества, надежности электронной техники.

Пр. МЭП в 1982г. институт определен головным по применению микропроцессоров. Пр. МЭП в 1983г. при институте создан межотраслевой консультационно-технический центр (КТЦ) по применению микропроцессорови по обеспечению развития БИС программируемой логики (ПЛИС).

В 2000г.: ОКР «Сила» по разработке микропроцессорной системы автоматизации нефтеперекачивающих станций.

Принимал участие в программах: «Марс-94/96», «Ямал-100, -200», «Сесат», КК «Прогресс», МКС.

Направления деятельности (2005г.): разработка и освоение производства: сложных ОЭС военного применения, портативных переносных тепловизионных и теплотелевизионных коаксиальных систем визуализации; матричных ИК приемников 3-го поколения; специализированной оптики УФ, видимого и ИК диапазонов; проектирование сверхбольших БИС; аппаратно-программных комплексов телеметрического контроля и управления. (2012г.): производство микродисплеев по технологии OLED (третье в мире после Франции и Германии).

Гендиректор (-1999-2005г.-)- В.В. Тарасов.

Зам. гендиректора (-05.2010-12г.-)- О. Яковлев.

Гл. конструкторы (2005г.)- В. Груздев.

Создано: калькуляторы «Электроника-ДД, -68» (1968), настольная ЭВМ «Электроника-70», периферийные устройства (внешнее запоминающее устройство повышенной емкости, интерфейсные блоки, принтер); тепловизионные каналы: для танкового прибора наблюдения ТВН-10 (2000-е), для системы обработки видеоизображений «Охотник» (2005); интегрированное устройство «Грифон»; тепловизионный прицел для стрелкового оружия «Шахин» (2000-е);.101

Фрязинский филиал ЦНИИПЭИ МЭП, ФГУП «НПП «Циклон-Тест»

/г. Фрязино Московской обл./

Фрязинский филиал ЦНИИПЭИ создан в ~ 1973г. на базе Центрального бюро электровакуумной техники.101

По Указу Президента РФ № 1009 от 4.08.2004г. вошло в число стратегических оборонных предприятий. Указом Президента № 1052 от 10.07.2008г. ФГУП исключено из перечня стратегических предприятий и включено в состав Корпорации «Ростехнологии».

Завод при НИИ-35, п/я 4052, Московский завод «Пульсар», В-8590, Завод при НИИ «Пульсар», ФГУП «Государственный завод «Пульсар»

/105187 г. Москва Окружной пр-д, 27 www.pulsar.rosprom.org/history.php/

Завод имел наименования «п/я 4052», «п/я В-8590».

В 1970-е г. на заводе внедрена опытная линия «Корунд» по производству ИС. В 1973г. на заводе налажен выпуск малошумящих и мощных транзисторов сантиметрового и миллиметрового диапазона волн на арсениде галлия.

Являлся дочерним предприятием НПП «Пульсар».

По Указу Президента РФ № 1009 от 4.08.2004г. вошел в число стратегических оборонных предприятий. В 2007г. планировалось вхождение предприятия в холдинг «Электронные системы» ОПК «Оборонпром». Указом Президента № 1052 от 10.07.2008г. ФГУП исключено из перечня стратегических предприятий и включено в состав Корпорации «Ростехнологии».

Директор (1991г.)- Г.А. Бабаян, (1995-2003г.-)- В.А. Буробин.

Производство: транзистор 2ТМ103.